一种纳米硅材料及其用途

本发明公开了一种纳米硅材料，其制备方法如下：

1. 使用长度为300-800nm，宽度为20-40nm的棒状纳米SiO2材料，通过镁热还原的方法制备得到。
2. 所述棒状纳米SiO2材料以凹凸棒土为原料，通过以下步骤制备：
   • 筛分：对凹凸棒土进行筛分，得到所需粒径的原料。
   • 酸洗：对筛分后的原料进行酸洗处理，去除杂质。
   • 高温热处理：将酸洗后的原料进行高温热处理，形成棒状纳米SiO2。

本发明以廉价的天然凹凸棒土为前驱体，从凹凸棒土中提纯得到棒状纳米SiO2，通过一步法制备粒径分布较为均匀的单质硅材料，具有以下优点：

• 该方法易于放大合成，实验室可以达到克级反应，成本低廉。
• 得到的单质硅材料产率高。
• 该单质硅材料经过包碳处理后，作为锂离子电池的负极材料，显示出非常好的储锂性能。

本发明公开了一种纳米硅材料，使用长度为300‑800nm，宽度为20‑40nm的棒状纳米SiO2材料通过镁热还原的方法制备得到，所述棒状纳米SiO2材料以凹凸棒土为原料，通过筛分、酸洗以及高温热处理制备得到。本发明以廉价的天然凹凸棒土为前驱体，从凹凸棒土中提纯得到棒状纳米SiO2，一步制备粒径分布较为均匀的单质硅材料，该方法易于放大合成，实验室可以达到克级反应，成本低廉；得到的单质硅材料的产率高，该单质硅材料经过包碳处理后作为锂离子电池的负极材料显示了非常好的储锂性能。