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一种非线性光学晶体乙二铵五硼酸铝及其制备和用途

技术类型：发明专利

技术成熟度：研发

转让方式：技术转让

专利申请日：2008-07-03

专利所属地 ：中国

专利号：CN200810071335.7

应用领域：化学原料和化学制品制造业

技术领域：新材料

交易价格：面议专利价值评估

应用案例：否

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简介

本发明涉及一种非线性光学晶体——乙二铵五硼酸铝及其制备和用途。该晶体化学式为 [Al(B4O9)(BO)]·NH3CH2CH2NH3，分子量为 303.15。它属于单斜晶系，空间群为 Pc，具有以下单胞参数： - a = 6.667(4)  - b = 8.151(4)  - c = 10.411(6)  - α = γ = 90° - β = 97.949(8)° - V = 560.3(5) 3 - Z = 2

乙二铵五硼酸铝采用水(剂)热法制备。该晶体具有优良的非线性光学性能，其粉末SHG系数为KDP的1.9倍，与LBO相当。

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专利基本信息
专利名称 一种非线性光学晶体乙二铵五硼酸铝及其制备和用途
专利状态 - 专利号（申请号） CN200810071335.7
申请号 - 专利申请日期 2008-07-03
专利授权日期 - 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 杨国昱;荣成
权利人 -
专利摘要 本发明涉及一种非线性光学晶体乙二铵五硼酸铝及其制备和用途。该晶体化学式为[Al(B4O9)(BO)]·NH3CH2CH2NH3，分子量为303.15，属单斜晶系，空间群Pc，单胞参数为a＝6.667(4)，b＝8.151(4)，c＝10.411(6)，α＝γ＝90°，β＝97.949(8)°，V＝560.3(5)3，Z＝2。采用水(剂)热法制备。乙二铵五硼酸铝具有优良的非线性光学性能，其粉末SHG系数为KDP的1.9倍，与LBO相当。
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