温度调控器件及制备方法

本发明提供了一种温度调控器件及其制备方法。该方法包括以下步骤：

1. 在第一基板和第二基板上分别设置图形化电极；
2. 将多个按照设计电路规则排布的N型和P型半导体热电单元所构成的热电阵列分别与第一、第二基板上的电极连接；
3. 将相变材料层覆设于第一基板或/和第二基板的另一表面；
4. 可进一步在相变材料层上以及热电阵列、第一基板和第二基板的两侧包覆封装材料。

本发明通过以下方式实现温度调控：

• 利用热电阵列与相变材料相结合；
• 利用相变温度点附近的相变储热与潜热的释放；
• 通过自适应调节，利用电流方向的转换实现制冷与加热。

因此，本发明实现了以下效果：

• 实现了目标面的温度自感触调控；
• 有效降低了能量消耗；
• 可适用于各种复杂感应面的应用。

本发明提供了温度调控器件及其制备方法，是在第一基板和第二基板上分别设置图形化电极，然后将多个按照设计电路规则排布的N型和P型半导体热电单元所构成的热电阵列分别与第一、第二基板上电极连接，再将相变材料层覆设于第一基板或/和第二基板另一表面。还可进一步在相变材料层上以及热电阵列、第一基板和第二基板的两侧包覆封装材料。本发明通过热电阵列与相变材料相结合，利用相变温度点附近的相变储热与潜热的释放，缓冲调节温度变化且通过自适应调节利用电流方向转换实现制冷与加热，从而实现了目标面的温度自感触调控，有效降低了能量消耗，可适用于各种复杂感应面的应用。