{{item.name}}
科技成果评价
专利价值评估
科创项目研判
产品技术图谱
产业链全景图谱
行业需求挖掘
企业创新综合分析
产业发展报告
了解与分析本科技成果，可查看成果概况并使用以下技术转移数智化应用工具：
成果概况
简介
本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。
本发明存储器借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。
存储器通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了10^4以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。
(此文字表达经过AI优化完善，查看原文请点击
原文)
技术标签
专利基本信息
| 专利名称 | 一种非挥发阻变存储器 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号（申请号） | CN201310276651.9 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2013-07-03 |
| 专利授权日期 | 2013-10-02 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 吴迪;温峥;李爱东;李晨;闵乃本 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。本发明借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。 | ||
成果评价分析
成果评价分析
样例
技术应用分析
技术应用分析
样例
相关资源数据
资源加工
产业分析服务
科技招商
评估评价
经纪赋能
科技活动
智能制造
企业服务
专业经纪服务