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制备三元组分AlxGa1-xN纳米锥的方法

技术类型：发明专利

技术成熟度：研发

转让方式：技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日：2011-01-31

专利所属地 ：中国

专利号：CN201110033619.9

应用领域：专用化学产品制造

技术领域：新材料

交易价格：面议专利价值评估

应用案例：否

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简介

本发明涉及制备三元组分AlxGa1-xN纳米锥的方法，可实现0

所述制备三元组分AlxGa1-xN纳米锥的方法为：

  1. 采用化学气相沉积法，以无水GaCl3为镓源，无水AlCl3为铝源；
  2. 在GaCl3和AlCl3的蒸发温度分别为70～90℃和130～150℃条件下，与氮源反应；
  3. 生成单相AlxGa1-xN纳米锥，其中0

优选氮源为NH3，沉积温度为650~800℃。

本发明在三段温区的管式炉中精细调控反应前驱物（GaCl3和AlCl3）的蒸气分压，得到的一维纳米材料具有单晶结构，成分分布均匀。且可通过改变生长条件在全成分范围内（x=0~1）调变其Al/Ga原子比。

(此文字表达经过AI优化完善，查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 制备三元组分AlxGa1-xN纳米锥的方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN201110033619.9
申请号 - 专利申请日期 2011-01-31
专利授权日期 2011-07-20 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 吴强;何承雨;胡征;王喜章
权利人 -
专利摘要 本发明涉及制备三元组分AlxGa1-xN纳米锥的方法,可以实现0
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