导电基底负载双金属锗酸盐纳米片的储能材料制备方法

一种导电基底上负载双金属锗酸盐纳米片复合储能材料的制备方法如下：

首先，通过水热反应的方法，在导电基底表面生长直立的双金属锗酸盐纳米片。接着，在氮气中对其进行煅烧处理，即可获得导电表面生长直立的双金属锗酸盐纳米片的复合材料。

本发明的主要特点是采用简单的化学合成手段。通过这种方法，成功制备出具有以下优点的导电基底上负载双金属锗酸盐纳米片复合储能材料：

1. 高比表面积
2. 导电性好
3. 容量和稳定性均优于传统材料

一种导电基底上负载双金属锗酸盐纳米片复合储能材料的制备方法，先通过水热反应的方法在导电基底表面生长直立的双金属锗酸盐纳米片，然后在氮气中煅烧后即可获得导电表面生长直立的双金属锗酸盐纳米片的复合材料；本发明的特点是采用简单的化学合成手段，制备出具有高比表面积、导电性好、容量和稳定性均优于传统材料的导电基底上负载双金属锗酸盐纳米片复合储能材料。