摘要:
一种阻止Ag在TiAlN涂层中高温晶界扩散的方法,具体方法为:在磁控溅射沉积TiAlN-Ag复合涂层时,采用单独的Si靶和磁控溅射技术,向TiAlN-Ag涂层中添加Si3N4组元,使其存在于TiAlN的晶界上,构成TiAlN-Ag/Si3N4涂层。在TiAlN-Ag/Si3N4涂层中,Ag含量在1-10at%,Si含量在8-10at%。本发明可明显抑制Ag在200-800oC的高温扩散,有效阻止Ag通过TiAlN的晶界向涂层表面扩散。在200-800oC高温磨损试验中,TiAlN-Ag涂层的磨损时间可提高3倍以上。此外,该方法改进的TiAlN-Ag耐磨减磨涂层制备方法简单,具有广泛的适用性。
| 专利名称 | 一种阻止Ag在TiAlN涂层中高温晶界扩散的方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201210413826.1 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2012-10-26 |
| 专利授权日期 | 2014-05-07 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 冯长杰;李明升;江鸢飞;胡弦;周雅;杜楠 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 一种阻止Ag在TiAlN涂层中高温晶界扩散的方法,所述方法为在磁控溅射沉积TiAlN-Ag复合涂层时,采用单独的Si靶和磁控溅射技术,向TiAlN-Ag涂层中添加Si3N4组元,使其存在于TiAlN的晶界上,构成TiAlN-Ag/Si3N4涂层;TiAlN-Ag/Si3N4涂层中Ag含量在1-10at%,Si含量在8-10at%;本发明可使Ag在200-800oC的高温扩散被明显的抑制,可明显阻止Ag通过TiAlN的晶界向涂层表面扩散,在200-800oC高温磨损试验中,可使TiAlN-Ag涂层的磨损时间提高3倍以上,另外,该方法改善的TiAlN-Ag耐磨减磨涂层制备方法简单,可广泛应用。 | ||