当前位置: 首页 > 科技成果列表 > 科技成果详细

一种阻止Ag在TiAlN涂层中高温晶界扩散的方法

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2012-10-26

专利所属地 :中国

专利号:CN201210413826.1

应用领域:化学原料和化学制品制造业

技术领域:新材料

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

了解与分析本科技成果,可查看成果概况并使用以下技术转移数智化应用工具:
成果概况
简介

摘要:

一种阻止Ag在TiAlN涂层中高温晶界扩散的方法,具体方法为:在磁控溅射沉积TiAlN-Ag复合涂层时,采用单独的Si靶和磁控溅射技术,向TiAlN-Ag涂层中添加Si3N4组元,使其存在于TiAlN的晶界上,构成TiAlN-Ag/Si3N4涂层。在TiAlN-Ag/Si3N4涂层中,Ag含量在1-10at%,Si含量在8-10at%。本发明可明显抑制Ag在200-800oC的高温扩散,有效阻止Ag通过TiAlN的晶界向涂层表面扩散。在200-800oC高温磨损试验中,TiAlN-Ag涂层的磨损时间可提高3倍以上。此外,该方法改进的TiAlN-Ag耐磨减磨涂层制备方法简单,具有广泛的适用性。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种阻止Ag在TiAlN涂层中高温晶界扩散的方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN201210413826.1
申请号 - 专利申请日期 2012-10-26
专利授权日期 2014-05-07 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 冯长杰;李明升;江鸢飞;胡弦;周雅;杜楠
权利人 -
专利摘要 一种阻止Ag在TiAlN涂层中高温晶界扩散的方法,所述方法为在磁控溅射沉积TiAlN-Ag复合涂层时,采用单独的Si靶和磁控溅射技术,向TiAlN-Ag涂层中添加Si3N4组元,使其存在于TiAlN的晶界上,构成TiAlN-Ag/Si3N4涂层;TiAlN-Ag/Si3N4涂层中Ag含量在1-10at%,Si含量在8-10at%;本发明可使Ag在200-800oC的高温扩散被明显的抑制,可明显阻止Ag通过TiAlN的晶界向涂层表面扩散,在200-800oC高温磨损试验中,可使TiAlN-Ag涂层的磨损时间提高3倍以上,另外,该方法改善的TiAlN-Ag耐磨减磨涂层制备方法简单,可广泛应用。
成果评价分析
技术应用分析
服务案例
Baidu
map