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五氧化二钒光电探测器及其制备方法

技术类型：发明专利

技术成熟度：研发

转让方式：技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日：2016-07-18

专利所属地 ：中国

专利号：CN201610565864.7

应用领域：铁合金冶炼

技术领域：新材料

交易价格：面议专利价值评估

应用案例：否

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简介

本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。

光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列。

制备方法如下：

  1. 先使用水热法得到VO2(A)纳米线；
  2. 将VO2(A)纳米线和水混合后超声，得到VO2(A)纳米线分散液；
  3. 之后，先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中；
  4. 待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后；
  5. 使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底；
  6. 再将其退火；
  7. 于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极；
  8. 制得目的产物。

该光电探测器的性能特点如下：

  • 它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，
  • 极易于广泛地应用于光电探测领域。
(此文字表达经过AI优化完善，查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 五氧化二钒光电探测器及其制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN201610565864.7
申请号 - 专利申请日期 2016-07-18
专利授权日期 2016-11-16 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 付文标;费广涛;张立德
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；方法是先使用水热法得到VO2(A)纳米线，再将VO2(A)纳米线和水混合后超声，得到VO2(A)纳米线分散液，之后，先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其退火后，于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极，制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，极易于广泛地应用于光电探测领域。
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