摘要: 本发明涉及一种透明导电和低发射率微网及其制备方法。所述微网是由金属纳米线相互交织而成的金属纳米线网络,其平均网孔尺寸为200~1110 nm。本发明的微网形成为由金属纳米线相互交织而成的随机均匀分布的金属纳米线网络。该网络可以透过波长较短的可见和近红外光;同时,由于其网孔的尺寸远小于室温物体黑体辐射波长区域,微网在中远红外光区仍具有较优的低发射率性质。
| 专利名称 | 一种透明导电和低发射率微网及其制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201610289211.0 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2016-05-03 |
| 专利授权日期 | 2017-11-10 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 高彦峰;罗琳琳;余子涯;邸雪;窦维维 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明涉及一种透明导电和低发射率微网及其制备方法,所述微网是由金属纳米线相互交织成的金属纳米线网络,所述微网的平均网孔尺寸为200~1110nm。本发明的微网形成为由金属纳米线相互交织成的随机均匀分布的金属纳米线网络,该网络可以透过波长较短的可见和近红外光;同时由于其网孔的尺寸远小于室温物体黑体辐射波长区域,微网在中远红外光区仍具有较优的低发射率性质。 | ||