一种二氧化锰树枝状纳米阵列电极材料及制备方法

摘要：

本发明提供了一种二氧化锰树枝状纳米阵列电极材料及制备方法。具体而言，每个树枝状二氧化锰阵列单元在单晶二氧化锰方形纳米管主干的四个侧棱上生长有四列单晶二氧化锰方形纳米管枝干。枝干轴向与主干轴向之间的夹角范围为57°～62°。

制备方法采用两步水热法。第一步水热法中，使用单抛硅片作为基底，进行一次生长纳米阵列。第二步水热法中，则采用已经生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片作为基底，进行二次生长纳米阵列。在二次生长过程中，将生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片抛光面向下放置。此外，二次生长时使用的单抛硅片有三片。值得注意的是，在二次生长过程中，原料的浓度低于一次生长时的浓度。

摘要：本发明提供了一种二氧化锰树枝状纳米阵列电极材料及制备方法，每个树枝状二氧化锰阵列单元在单晶二氧化锰方形纳米管主干的四个侧棱上生长有四列单晶二氧化锰方形纳米管枝干；枝干轴向与主干轴向之间的夹角范围为57°～62°。采用两步水热法合成；第一步水热法过程中采用单抛硅片作为基底来一次生长纳米阵列；第二步水热法过程中采用生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片作为基底来二次生长纳米阵列；在二次生长时将生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片抛光面向下放置；在二次生长时所述的生长有单晶二氧化锰方形纳米管主干的单抛硅片为三片；在二次生长时原料的浓度低于一次生长时原料的浓度。