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一种磁光光电流传感器的制造方法

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让

专利申请日:2009-08-13

专利所属地 :中国

专利号:200910183929.1

应用领域:专用化学产品制造

技术领域:-

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明公开了一种磁光电流传感器及其制造方法,包括以下组成部分:沿光路设置的光源、起偏器、磁光传感单元、检偏器及方位探测器。特别地,该磁光传感单元采用保护层、永磁薄膜和磁光材料层叠生长的结构。

制造过程如下:

  1. 首先制备清洁、干燥的磁光材料。
  2. 在真空条件下,对磁光材料生长永磁薄膜。
  3. 在永磁薄膜上生长SiN或SiO₂薄膜保护层。
  4. 利用永磁机对磁光传感单元的永磁薄膜进行充磁。

本发明通过利用永磁薄膜,实现了光路通过的磁场强度大、平行度好。这一设计有效增大了偏振光的旋转角,从而提高了传感器的感应精度。

此外,该磁光电流传感器的光路元件较少,系统设计更为简便,可靠性也更高。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种磁光电流传感器及其制造方法
专利状态 - 专利号(申请号) 200910183929.1
申请号 - 专利申请日期 2009-08-13
专利授权日期 - 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 焦新兵;蒋春萍
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种磁光电流传感器及其制造方法,包括沿光路设置的光源、起偏器、磁光传感单元、检偏器及方位探测器,其中该磁光传感单元为保护层、永磁薄膜和磁光材料层叠生长结构;制造时,首先制备清洁、干燥的磁光材料,然后在真空条件下对磁光材料生长永磁薄膜,再在永磁薄膜上生长SiN或SiO2薄膜保护层,最后利用永磁机对磁光传感单元的永磁薄膜进行充磁。本发明利用永磁薄膜,使得光路通过的磁场强度大、平行度好,有效增大了偏振光的旋转角,提高了传感器的感应精度。此外,该磁光电流传感器的光路元件少,系统设计更简便,可靠性更高。
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