本发明公开了一种磁光电流传感器及其制造方法,包括以下组成部分:沿光路设置的光源、起偏器、磁光传感单元、检偏器及方位探测器。特别地,该磁光传感单元采用保护层、永磁薄膜和磁光材料层叠生长的结构。
制造过程如下:
本发明通过利用永磁薄膜,实现了光路通过的磁场强度大、平行度好。这一设计有效增大了偏振光的旋转角,从而提高了传感器的感应精度。
此外,该磁光电流传感器的光路元件较少,系统设计更为简便,可靠性也更高。
| 专利名称 | 一种磁光电流传感器及其制造方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | 200910183929.1 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2009-08-13 |
| 专利授权日期 | - | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 焦新兵;蒋春萍 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种磁光电流传感器及其制造方法,包括沿光路设置的光源、起偏器、磁光传感单元、检偏器及方位探测器,其中该磁光传感单元为保护层、永磁薄膜和磁光材料层叠生长结构;制造时,首先制备清洁、干燥的磁光材料,然后在真空条件下对磁光材料生长永磁薄膜,再在永磁薄膜上生长SiN或SiO2薄膜保护层,最后利用永磁机对磁光传感单元的永磁薄膜进行充磁。本发明利用永磁薄膜,使得光路通过的磁场强度大、平行度好,有效增大了偏振光的旋转角,提高了传感器的感应精度。此外,该磁光电流传感器的光路元件少,系统设计更简便,可靠性更高。 | ||