二氧化锡纳米传感器件的制造方法

该发明涉及一种二氧化锡纳米传感器件的制造方法，属于半导体传感器、气敏元件制造工艺技术领域。

该发明方法主要采用AFM（原子力显微镜）微细加工技术。在控制探针尖端电压和扫描方式条件下，以及在水分子存在的环境中，对金属锡电极表面进行局部阳极氧化，从而加工得到二氧化锡纳米结构传感器件。

制得的二氧化锡纳米传感器在常温下对氢气非常敏感，同时具有很好的选择性，可以作为检测环境中氢气浓度的传感器。

发明专利号：ZL03141514.8。

该发明涉及一种二氧化锡纳米传感器件的制造方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该发明方法主要采用AFM微细加工技术，控制探针尖端电压和扫描方式条件下以及在水分子存在的条件下，对金属锡电极表面进行局部阳极氧化，从而加工得到二氧化锡纳米结构传感器件。该发明方法制得的二氧化锡纳米传感器在常温下对氢气非常敏感，同时具有很好的选择性，可以作为检测环境中氢气浓度的传感器。发明专利号：ZL03141514.8。