本发明公开了一种用于PCB高导电的纳米银制备方法及设备。
该方法以硝酸银或高氯酸银为银源,采用液相还原法制备得到。本方法制备的纳米银导电性好,电阻率为2.×10‑3Ω·cm至6.5×10‑3Ω·cm,可用于印刷电路板。
该装置包括以下部分:
本方法操作工序简单,工序减少,装置结构简单,对规模化生产性设备要求降低,易于实现产业化。
| 专利名称 | 一种用于PCB高导电的纳米银制备方法及设备 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201510197484.8 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2015-04-24 |
| 专利授权日期 | 2017-02-22 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 郜华萍;郭忠诚;王钲源;潘明熙;董国丽;王翠翠;何文豪;郜烨 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种用于PCB高导电的纳米银制备方法及设备,该方法以硝酸银或高氯酸银为银源,采用液相还原法制备得到,本方法制备的纳米银导电性好,电阻率为2.×10-3Ω·cm-6.5×10-3Ω·cm,可用于印刷电路板,该装置包括溶解釜Ⅰ、溶解釜Ⅱ、银盐化合物净化塔、还原剂净化塔、银盐化合物溶解釜、还原剂溶解釜、银盐化合物储液槽、还原剂储液槽、温控耐蚀反应釜、高效投料装置、离心分离机、银回收装置、温控鼓风干燥箱、尾气收集处理装置、废液处理装置、水离子交换设备;本方法操作工序简单,工序减少,装置结构简单,对规模化生产性设备要求降低,易于实现产业化。 | ||