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一种用于PCB高导电的纳米银制备方法及设备

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2015-04-24

专利所属地 :中国

专利号:CN201510197484.8

应用领域:专用化学产品制造

技术领域:-

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明公开了一种用于PCB高导电的纳米银制备方法及设备。

该方法以硝酸银或高氯酸银为银源,采用液相还原法制备得到。本方法制备的纳米银导电性好,电阻率为2.×10‑3Ω·cm至6.5×10‑3Ω·cm,可用于印刷电路板。

该装置包括以下部分:

  1. 溶解釜Ⅰ
  2. 溶解釜Ⅱ
  3. 银盐化合物净化塔
  4. 还原剂净化塔
  5. 银盐化合物溶解釜
  6. 还原剂溶解釜
  7. 银盐化合物储液槽
  8. 还原剂储液槽
  9. 温控耐蚀反应釜
  10. 高效投料装置
  11. 离心分离机
  12. 银回收装置
  13. 温控鼓风干燥箱
  14. 尾气收集处理装置
  15. 废液处理装置
  16. 水离子交换设备

本方法操作工序简单,工序减少,装置结构简单,对规模化生产性设备要求降低,易于实现产业化。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种用于PCB高导电的纳米银制备方法及设备
专利状态 - 专利号(申请号) CN201510197484.8
申请号 - 专利申请日期 2015-04-24
专利授权日期 2017-02-22 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 郜华萍;郭忠诚;王钲源;潘明熙;董国丽;王翠翠;何文豪;郜烨
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种用于PCB高导电的纳米银制备方法及设备,该方法以硝酸银或高氯酸银为银源,采用液相还原法制备得到,本方法制备的纳米银导电性好,电阻率为2.×10-3Ω·cm-6.5×10-3Ω·cm,可用于印刷电路板,该装置包括溶解釜Ⅰ、溶解釜Ⅱ、银盐化合物净化塔、还原剂净化塔、银盐化合物溶解釜、还原剂溶解釜、银盐化合物储液槽、还原剂储液槽、温控耐蚀反应釜、高效投料装置、离心分离机、银回收装置、温控鼓风干燥箱、尾气收集处理装置、废液处理装置、水离子交换设备;本方法操作工序简单,工序减少,装置结构简单,对规模化生产性设备要求降低,易于实现产业化。
成果评价分析
技术应用分析
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