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一种制备超冶金级硅的方法

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2007-07-06

专利所属地 :中国

专利号:CN200710066017.7

应用领域:合成材料制造

技术领域:新材料

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

一种制备超冶金级硅的方法如下:

本发明涉及制备高纯度硅的方法,尤其是一种由冶金级硅制备纯度大于99.99%的超冶金级硅的方法。

具体操作步骤包括: 1. 将块状冶金级硅进行清洗、破碎、球磨、筛分和初步除杂等工序处理。 2. 将处理后的冶金级硅放入超声波、微波场中进行冶金酸浸处理。 3. 经过强化处理后的冶金级硅粉,采用常压湿法浸出和高温高压浸出相结合的方法,使金属杂质尽快进入浸出液中。 4. 浸出液经过萃取处理后循环利用,萃取剂也经过反萃取后循环利用。

本方法联合采用了微波冶金、超声波冶金、高温高压浸出等特种场强化技术。制备的硅纯度可达99.99%以上,满足太阳能电池行业对超冶金级硅的要求。同时,该方法具有设备投资少、能耗低、环境影响小、成本低等优点。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种制备超冶金级硅的方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN200710066017.7
申请号 - 专利申请日期 2007-07-06
专利授权日期 2008-01-30 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 马文会;戴永年;杨斌;刘大春;于站良;谢克强;魏奎先;徐宝强;伍继君;汪镜福
权利人 -
专利摘要 一种制备超冶金级硅的方法。本发明涉及属于制备高纯度一种硅的方法,特别是由冶金级硅制备纯度大于99.99%的超冶金级硅的方法。本发明是将块状冶金级硅经过清洗、破碎、球磨、筛分、初步除杂等工序后,放入超声波、微波场中进行冶金酸浸处理,经过强化处理后的冶金级硅粉再采用常压湿法浸出和高温高压浸出结合,使得冶金级硅粉中的金属杂质能够尽快的进入浸出液中,浸出液经过萃取后循环利用,而萃取剂也经过反萃取后循环利用。本方法联合采用了微波冶金、超声波冶金、高温高压浸出等特种场强化技术,制备的硅纯度为99.99%以上,满足太阳能电池行业对超冶金级硅的要求,且设备投资少、能耗低,对环境的影响比较小,成本低。
成果评价分析
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