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磷酸二氢钾孪晶的制备方法

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2009-11-03

专利所属地 :中国

专利号:CN200910198198.8

应用领域:合成材料制造

技术领域:新材料

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

摘要:

本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法,该方法主要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法,属于无机晶体材料制备技术领域。

本发明方法的主要过程如下:

  1. 将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶,剩下部分切取两段。
  2. 按既定角度方向磨平,磨成大小相同的两段晶体。
  3. 将磨出的大小相同的对应面相对接,再把上下两顶磨平。
  4. 然后再把欲形成的孪晶界面在接触面沿对角线打磨,并进行抛光。
  5. 将两段晶体的两锥面接触,使两锥面处在一条直线上。
  6. 以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上。
  7. 把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中,控制生长条件,使晶体在其中生长。
  8. 最后生成两共轴成40°的KDP孪晶。
(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 磷酸二氢钾孪晶的制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN200910198198.8
申请号 - 专利申请日期 2009-11-03
专利授权日期 2010-05-19 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 王燕;徐军;刘燕红;庞宛文;白丽华;张惠芳
权利人 -
专利摘要 本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法,它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法,属无机晶体材料制备工技术领域。本发明方法主要过程如下:将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶,剩下部分切取两段,按既定角度方向磨平,磨成大小相同的两段晶体,将磨出的大小相同的对应面相对接,再把上下两顶磨平;然后再把欲形成的孪晶界面在接触面沿对角线打磨,并进行抛光;然后将两段晶体的两锥面接触,使两锥面处在一条直线上;以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上;然后把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中,控制生长条件,使晶体在其中生长,最后生成两共轴成40°的KDP孪晶。
成果评价分析
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