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成果概况
简介
摘要:
本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法,该方法主要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法,属于无机晶体材料制备技术领域。
本发明方法的主要过程如下:
- 将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶,剩下部分切取两段。
- 按既定角度方向磨平,磨成大小相同的两段晶体。
- 将磨出的大小相同的对应面相对接,再把上下两顶磨平。
- 然后再把欲形成的孪晶界面在接触面沿对角线打磨,并进行抛光。
- 将两段晶体的两锥面接触,使两锥面处在一条直线上。
- 以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上。
- 把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中,控制生长条件,使晶体在其中生长。
- 最后生成两共轴成40°的KDP孪晶。
摘要:本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法,它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法,属无机晶体材料制备工技术领域。本发明方法主要过程如下:将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶,剩下部分切取两段,按既定角度方向磨平,磨成大小相同的两段晶体,将磨出的大小相同的对应面相对接,再把上下两顶磨平;然后再把欲形成的孪晶界面在接触面沿对角线打磨,并进行抛光;然后将两段晶体的两锥面接触,使两锥面处在一条直线上;以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上;然后把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中,控制生长条件,使晶体在其中生长,最后生成两共轴成40°的KDP孪晶。
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原文)
专利基本信息
| 专利名称 |
磷酸二氢钾孪晶的制备方法 |
| 专利状态 |
- |
专利号(申请号) |
CN200910198198.8 |
| 申请号 |
- |
专利申请日期 |
2009-11-03 |
| 专利授权日期 |
2010-05-19 |
专利权届满日 |
- |
| 专利所属地 |
中国 |
专利类型 |
发明专利 |
| 发明人 |
王燕;徐军;刘燕红;庞宛文;白丽华;张惠芳 |
| 权利人 |
- |
| 专利摘要 |
本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法,它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法,属无机晶体材料制备工技术领域。本发明方法主要过程如下:将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶,剩下部分切取两段,按既定角度方向磨平,磨成大小相同的两段晶体,将磨出的大小相同的对应面相对接,再把上下两顶磨平;然后再把欲形成的孪晶界面在接触面沿对角线打磨,并进行抛光;然后将两段晶体的两锥面接触,使两锥面处在一条直线上;以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上;然后把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中,控制生长条件,使晶体在其中生长,最后生成两共轴成40°的KDP孪晶。 |