一种三维SiO2超薄膜及其制备方法和应用
其特征在于,它采用三维骨架结构的聚合物整体型模板, 然后将SiO2的前驱物硅酸酯在模板的孔道内原位水解, 使水解产生的SiO2在聚合物表面沉积,形成三维连续的超薄膜。 接下来,将聚合物/SiO2复合物在高温下煅烧, 除去聚合物,同时又使SiO2烧结成型。 最终剩下目标产物,使该三维SiO2超薄膜的厚度为15~90纳米可控, 孔隙率为50%~95%。
该超薄膜可作为催化剂载体, 也可用于合成新型的三维超薄膜材料。 其制备方法条件温和, 适合大规模生产制造。
| 专利名称 | 一种三维SiO2超薄膜及其制备方法和应用 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | 200910095419.9 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2009-01-09 |
| 专利授权日期 | - | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 张瑞丰;侯琳熙;龙能兵;张乐乐;普佳音 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 一种三维SiO2超薄膜及其制备方法和应用,其特征在于它采用三维骨架结构的聚合物整体型模板,然后将SiO2的前驱物硅酸酯在模板的孔道内原位水解,使水解产生的SiO2在聚合物表面沉积,形成三维连续的超薄膜,然后将聚合物/SiO2复合物在高温下煅烧,除去聚合物,同时又使SiO2烧结成型,最后剩下目标产物,使该三维SiO2超薄膜的厚度为15~90纳米可控,孔隙率为50%~95%;它可作为催化剂载体,也可用于合成新型的三维超薄膜材料,制备方法条件温和,适合大规模生产制造。 | ||