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一种三维SiO2超薄膜及其制备方法和应用

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让

专利申请日:2009-01-09

专利所属地 :中国

专利号:200910095419.9

应用领域:专用化学产品制造

技术领域:新材料

交易价格:30.00~30.00万专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

一种三维SiO2超薄膜及其制备方法和应用

其特征在于,它采用三维骨架结构的聚合物整体型模板, 然后将SiO2的前驱物硅酸酯在模板的孔道内原位水解, 使水解产生的SiO2在聚合物表面沉积,形成三维连续的超薄膜。 接下来,将聚合物/SiO2复合物在高温下煅烧, 除去聚合物,同时又使SiO2烧结成型。 最终剩下目标产物,使该三维SiO2超薄膜的厚度为15~90纳米可控, 孔隙率为50%~95%。

该超薄膜可作为催化剂载体, 也可用于合成新型的三维超薄膜材料。 其制备方法条件温和, 适合大规模生产制造。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种三维SiO2超薄膜及其制备方法和应用
专利状态 - 专利号(申请号) 200910095419.9
申请号 - 专利申请日期 2009-01-09
专利授权日期 - 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 张瑞丰;侯琳熙;龙能兵;张乐乐;普佳音
权利人 -
专利摘要 一种三维SiO2超薄膜及其制备方法和应用,其特征在于它采用三维骨架结构的聚合物整体型模板,然后将SiO2的前驱物硅酸酯在模板的孔道内原位水解,使水解产生的SiO2在聚合物表面沉积,形成三维连续的超薄膜,然后将聚合物/SiO2复合物在高温下煅烧,除去聚合物,同时又使SiO2烧结成型,最后剩下目标产物,使该三维SiO2超薄膜的厚度为15~90纳米可控,孔隙率为50%~95%;它可作为催化剂载体,也可用于合成新型的三维超薄膜材料,制备方法条件温和,适合大规模生产制造。
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