摘要:
本实用新型公开了一种非对称真空灭弧室纵向磁场触头结构,该结构包括静触头片和动触头片。具体来说,静触头片与静导电杆固定连接,动触头片与动导电杆固定连接。在静触头片与动触头片之间存在间隙,同时,在静触头片与静导电杆之间设有纵向磁场线圈,在动触头片与动导电杆之间设有动触头外屏蔽罩。
本实用新型的设计有利于减小灭弧室的尺寸,从而实现断路器体积的小型化。此外,内部所形成的纵向磁场呈“偏心式”,磁场有效面积较大,这有利于真空电弧直接进入扩散态。因此,本实用新型能够显著提高灭弧室的使用寿命,并具有优秀的开断性能。
| 专利名称 | 非对称真空灭弧室纵向磁场触头结构 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201621185197.1 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2016-10-28 |
| 专利授权日期 | 2017-04-19 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 实用新型专利 |
| 发明人 | 易荣先;郭建炎;杨长洲;魏明明;段振斌 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本实用新型公开了一种非对称真空灭弧室纵向磁场触头结构,包括静触头片和动触头片,静触头片与静导电杆固定连接,动触头片与动导电杆固定连接,静触头片与动触头片之间存在间隙,静触头片与静导电杆之间设有纵向磁场线圈,动触头片与动导电杆之间设有动触头外屏蔽罩。本实用新型有利于减小灭弧室尺寸,使断路器体积小型化;内部所形成纵向磁场呈“偏心式”,磁场有效面积较大,利于真空电弧直接进入扩散态,灭弧室使用寿命长,开断性能好。 | ||