一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法,该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极。该复合电极包括: - 离散分布在多结电池采光面上的多个块状金属电极,这些电极与多结电池形成欧姆接触; - 覆设在该等金属电极上,并与这些金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜。
其制备方法包括: - 在多结电池采光面上设置多个与多结电池形成欧姆接触的块状金属电极; - 然后将石墨烯膜覆设在该等块状金属电极上并形成欧姆接触。
本发明采用石墨烯/金属复合电极替代传统条形金属栅电极,可以显著降低金属电极的遮光面积,增加有效的光吸收面积,提高太阳电池的转换效率。同时,它还能降低多结太阳电池的成本,加快太阳能发电的应用与发展。
| 专利名称 | 石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | 201310058949.2 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2013-02-25 |
| 专利授权日期 | - | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 于淑珍;董建荣;李奎龙;孙玉润;赵勇明;赵春雨;杨辉 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极,该复合电极包括:离散分布在多结电池采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的多个块状金属电极;以及覆设在该等金属电极上,并与该等金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜;其制备方法包括:在多结电池采光面上设置多个与多结电池形成欧姆接触的块状金属电极.然后将石墨烯膜覆设在该等块状金属电极上并形成欧姆接触。本发明采用石墨烯/金属复合电极替代传统条形金属栅电极,可以显著降低金属电极的遮光面积,增加有效的光吸收面积,提高太阳电池的转换效率,同时降低多结太阳电池的成本,加快太阳能发电的应用与发展。 | ||