摘要:
本发明涉及一种用扩宽片层间距的过渡金属硫化物吸附汞离子的方法,属于汞离子吸附剂领域。此方法旨在解决传统过渡金属硫化物难以直接用于汞离子吸附的技术问题。
该方法包括以下步骤:
步骤1:选取扩宽片层间距的过渡金属硫化物作为汞离子吸附剂。所述过渡金属硫化物的片层间距大于汞离子的水合直径。
步骤2-1:将选取的扩宽片层间距的过渡金属硫化物粉体分散到含有汞离子的水中,进行搅拌、吸附操作,然后去上清,从而完成汞离子的吸附。
或
步骤2-2:将选取的扩宽片层间距的过渡金属硫化物粉体装载进入柱子中,制作成吸附柱。随后,将含有汞离子的废水通过吸附柱,完成汞离子的吸附。
本发明提供的方法能有效地避免传统过渡金属硫化物的缺点,显著提高汞离子吸附效果。
| 专利名称 | 一种用扩宽片层间距的过渡金属硫化物吸附汞离子的方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201610318002.4 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2016-05-13 |
| 专利授权日期 | 2017-11-21 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 艾可龙;阮长平;逯乐慧 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明涉及一种用扩宽片层间距的过渡金属硫化物吸附汞离子的方法,属于汞离子吸附剂领域。解决传统过渡金属硫化物很难直接用于汞离子的吸附的技术问题。该方法包括:步骤1、选取扩宽片层间距的过渡金属硫化物作为汞离子吸附剂;所述过渡金属硫化物的片层间距大于汞离子的水合直径;步骤2‑1、将选取的扩宽片层间距的过渡金属硫化物粉体分散到含有汞离子的水中,搅拌,吸附,去上清后完成汞离子的吸附;或步骤2‑2、将选取的扩宽片层间距的过渡金属硫化物粉体装载进入柱子中,制作成吸附柱,再将含有汞离子的废水通过吸附柱完成汞离子的吸附。本发明提供的方法能有效地避免传统过渡金属硫化物的缺点,使得汞离子吸附效果得到大幅提高。 | ||