本实用新型提供了一种多晶硅铸锭用坩埚。
该坩埚包括本体和形核源层。
本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁。
底座和侧壁共同围成一收容空间。
形核源层附着在本体底座朝向收容空间的一面。
形核源层选自以下涂层中的一种:硅粉涂层、碳化硅粉涂层、石英粉涂层和碳粉涂层。
本实用新型多晶硅铸锭用坩埚具有形核源层,其形核源有利于熔融状态的硅料迅速形核。
| 专利名称 | 一种多晶硅铸锭用坩埚 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | 201220138049.X |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2012-04-01 |
| 专利授权日期 | - | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 实用新型专利 |
| 发明人 | 胡动力;何亮;雷琦;钟德京;张涛;万跃鹏 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本实用新型提供了一种多晶硅铸锭用坩埚,该坩埚包括本体和形核源层,本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁,底座和侧壁共同围成一收容空间,形核源层附着在本体底座朝向收容空间的一面,形核源层选自硅粉涂层、碳化硅粉涂层、石英粉涂层和碳粉涂层中的一种。本实用新型多晶硅铸锭用坩埚具有形核源层,其形核源有利于熔融状态的硅料迅速形核。 | ||