一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管环形太赫兹探测器天线

摘要：

本发明公开了一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管（FET）环形太赫兹（THz）探测器天线，属于天线领域。

本发明包括环形天线、Si基FET和低噪声放大器；其中，环形天线用于接收THz波，同时把接收到的THz波转化为电信号传递给FET。FET负责将高频信号转化为低频信号，然后传递给低噪声放大器。经过低噪声放大器处理后的信号，最终实现对THz信号的探测。

本发明在安保扫描、射电天文、生物遥感、生产监控等领域具有重要应用。

摘要：本发明公开了一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管(FET)环形太赫兹(THz)探测器天线，属于天线领域。本发明包括环形天线，Si基FET，低噪声放大器；其中环形天线用于接收THz波，同时把接收到的THz波转化为电信号给FET，FET把高频信号转化为低频信号给低噪声放大器，信号经过低噪声放大器后最终能实现对THz信号的探测。本发明在安保扫描、射电天文、生物遥感、生产监控等领域具有重要应用。