摘要:
本实用新型涉及一种同位素地质学专用TOF-SIMS高压脉冲发生器。该发生器由直流电源经负载与高压衰减探头示波器连接而成。负载串接三个SICMOSFET,具体如下:
与现有的分高压脉冲发生器相比,本实用新型具有以下优点:
本实用新型可在电场杀菌技术、水处理技术和高压绝缘技术等领域得到广泛应用。
| 专利名称 | 同位素地质学专用TOF‑SIMS高压脉冲发生器 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201620589017.X |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2016-06-16 |
| 专利授权日期 | 2017-06-27 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 实用新型专利 |
| 发明人 | 高岩;刘卫平;邱春玲 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本实用新型涉及一种同位素地质学专用TOF‑SIMS高压脉冲发生器,是由直流电源经负载与高压衰减探头示波器连接,负载串接三个SICMOSFET,SICMOSFETⅠ分别与TVS动态均压电路、R1~R2静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅠ连接,SICMOSFETⅡ分别与TVS动态均压电路、R4~R5静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅡ连接,SICMOSFETⅢ分别与TVS动态均压电路、R7~R8静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅢ连接构成。本实用新型与现有的分高压脉冲发生器相比,具有无噪声,无电磁干扰,结构简单,体积小,重量轻,安装方便,成本低廉。可在电场杀菌技术、水处理技术和高压绝缘技术等领域广泛应用。 | ||