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同位素地质学专用TOF‑SIMS高压脉冲发生器

技术类型:实用新型专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2016-06-16

专利所属地 :中国

专利号:CN201620589017.X

应用领域:专用仪器仪表制造

技术领域:-

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

摘要:

本实用新型涉及一种同位素地质学专用TOF-SIMS高压脉冲发生器。该发生器由直流电源经负载与高压衰减探头示波器连接而成。负载串接三个SICMOSFET,具体如下:

  • SICMOSFETⅠ分别与TVS动态均压电路、R1~R2静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅠ连接。
  • SICMOSFETⅡ分别与TVS动态均压电路、R4~R5静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅡ连接。
  • SICMOSFETⅢ分别与TVS动态均压电路、R7~R8静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅢ连接。

与现有的分高压脉冲发生器相比,本实用新型具有以下优点:

  • 无噪声
  • 无电磁干扰
  • 结构简单
  • 体积小
  • 重量轻
  • 安装方便
  • 成本低廉

本实用新型可在电场杀菌技术、水处理技术和高压绝缘技术等领域得到广泛应用。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 同位素地质学专用TOF‑SIMS高压脉冲发生器
专利状态 - 专利号(申请号) CN201620589017.X
申请号 - 专利申请日期 2016-06-16
专利授权日期 2017-06-27 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 实用新型专利
发明人 高岩;刘卫平;邱春玲
权利人 -
专利摘要 本实用新型涉及一种同位素地质学专用TOF‑SIMS高压脉冲发生器,是由直流电源经负载与高压衰减探头示波器连接,负载串接三个SICMOSFET,SICMOSFETⅠ分别与TVS动态均压电路、R1~R2静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅠ连接,SICMOSFETⅡ分别与TVS动态均压电路、R4~R5静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅡ连接,SICMOSFETⅢ分别与TVS动态均压电路、R7~R8静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅢ连接构成。本实用新型与现有的分高压脉冲发生器相比,具有无噪声,无电磁干扰,结构简单,体积小,重量轻,安装方便,成本低廉。可在电场杀菌技术、水处理技术和高压绝缘技术等领域广泛应用。
成果评价分析
技术应用分析
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