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基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头

技术类型:实用新型专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2017-03-30

专利所属地 :中国

专利号:CN201720321370.4

应用领域:印刷

技术领域:-

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

摘要:

本实用新型公开了一种基于石墨烯-碳纳米管复合结构的热喷印头。该喷印头采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺,在硅片衬底上制备了以下结构:

  • 主通道
  • 喷墨腔室
  • 进墨通道
  • 喷嘴
  • 喷墨通道

此外,采用阳极键合工艺,以石墨烯碎片作为中间层,将玻璃基底和硅片衬底键合。

具体结构如下:

  • 主通道和喷墨腔室通过进墨通道连通,其中,进墨通道深度小于喷墨腔室深度。
  • 喷嘴设置在喷墨腔室底部。
  • 碳纳米管-石墨烯复合结构微气泡发生器阵列和碳纳米管温度传感器阵列制备在玻璃基底对应喷墨腔室的区域,且朝向喷墨腔室设置。

该喷头具有以下优点:

  • 进液关闭可靠
  • 键合强度高
  • 不易污染喷印腔室
  • 制备时精度易于控制
(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头
专利状态 - 专利号(申请号) CN201720321370.4
申请号 - 专利申请日期 2017-03-30
专利授权日期 2017-11-24 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 实用新型专利
发明人 周文利;朱宇;陈昌盛;向耘宏;蒋履辉;喻研;王耘波;高俊雄
权利人 -
专利摘要 本实用新型公开了一种基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头,采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺,在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道;采用阳极键合工艺,以石墨烯碎片作为中间层,将玻璃基底和硅片衬底键合。主通道和喷墨腔室通过进墨通道连通,进墨通道深度小于喷墨腔室深度;喷嘴设置在喷墨腔室底部;碳纳米管‑石墨烯复合结构微气泡发生器阵列和碳纳米管温度传感器阵列制备在玻璃基底对应喷墨腔室的区域,且朝向喷墨腔室设置。该喷头进液关闭可靠、键合强度高、不易污染喷印腔室,制备时精度易于控制。
成果评价分析
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