一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法

本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，具体如下：

首先，将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内。接着，分别将Ar、H2等离子化，对衬底进行轰击清洗。之后，在20～30℃的温度下，通入SiH4、NH3、H2混合气体。等离子化后，在衬底上淀积a-SiNx薄膜。然后，通入O2氧化a-SiNx薄膜，形成a-SiNxOy薄膜。在较低的温度下，利用大氢稀释方法制备薄膜。这种方法降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率。因此，使其与同类薄膜电致发光器件相比，发光效率有数量级的增强。

本发明涉及一种硅基氮氧化合物薄膜的制备方法，首先将清洗过的衬底放入PECVD设备的反应腔内，分别将Ar、H2等离子化对衬底进行轰击清洗，然后在20～30℃通入SiH4、NH3、H2混合气体，等离子化后在衬底上淀积a‑SiNx薄膜，通入O2氧化a‑SiNx薄膜形成a‑SiNxOy薄膜，在较低的温度下利用大氢稀释方法制备薄膜，降低了薄膜中的非辐射复合缺陷，从而降低其加压后的漏电流，提高其发光的功率效率，使其与同类薄膜电致发光器件相比发光效率有数量级的增强。