硅‑锗合金量子点的合成方法

摘要： 本发明公开了一种硅-锗合金量子点的合成方法。具体步骤如下：先将甲苯和甲醇分别进行预处理，然后进行硅-锗合金量子点的合成。在此过程中，利用反应生成的带烷基的硅粒子溶解于正己烷中，将硅量子点转移到有机溶剂相中，以进一步去除杂质。

根据需要应用的硅量子点粒径，利用PVDF膜过滤，将所需硅量子点与其它粒径硅量子点及杂质进一步分离。该方法具有以下优点：

1. 操作方法简便；
2. 所需设备简单；
3. 反应条件温和；
4. 成本较低；
5. 生产安全可靠；
6. 产品纯度高；
7. 产率高。

该合成方法在光电信息传输、存储、处理、运算和显示等方面具有应用价值。

摘要：本发明公开了一种硅‑锗合金量子点的合成方法，先把甲苯和甲醇分别进行预处理，再进行硅‑锗合金量子点的合成，利用反应生成带烷基的硅粒子溶解于正己烷中，将硅量子点转移到有机溶剂相中，从而进一步去除杂质；根据需要应用的硅量子点粒径，利用PVDF膜过滤，将需要的硅量子点与其它粒径硅量子点及杂质进一步分离；操作方法简便，所需设备简单，反应条件温和，成本较低，生产安全可靠，产品纯度高，产率高，在光电信息传输、存贮、处理、运算和显示等方面有应用价值。