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成果概况
简介
本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
- 清洗衬底,吹干后备用;
- 利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种,通过金属催化剂诱导,在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交错互联的碳纳米管膜;
- 把生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中,利用反应器生长一层氧化钒膜,所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中,退火,形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构;
- 冷却至室温后,从反应器中取出;
- 根据需要,依次重复碳纳米管生长、氧化钒沉积、和退火步骤,形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。
本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:①清洗衬底,吹干后备用;②利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种,通过金属催化剂诱导,在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交错互联的碳纳米管膜;③把生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中,利用反应器生长一层氧化钒膜,所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中,退火,形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构;④冷却至室温后,从反应器中取出;⑤根据需要,依次重复碳纳米管生长、氧化钒沉积、和退火步骤,形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。
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原文)
专利基本信息
| 专利名称 |
一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜及其制作方法 |
| 专利状态 |
- |
专利号(申请号) |
CN201010257976.9 |
| 申请号 |
- |
专利申请日期 |
2010-08-20 |
| 专利授权日期 |
2012-05-09 |
专利权届满日 |
- |
| 专利所属地 |
中国 |
专利类型 |
发明专利 |
| 发明人 |
许向东;蒋亚东;杨书兵 |
| 权利人 |
- |
| 专利摘要 |
本发明公开了一种用于微测辐射热计的氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:①清洗衬底,吹干后备用;②利用化学气相沉积系统、弧光放电系统、激光烧蚀沉积系统反应器当中的一种,通过金属催化剂诱导,在清洁衬底的表面直接反应生长网状、或交错互联的碳纳米管膜;③把生长有碳纳米管膜的衬底放入抽为真空的反应器中,利用反应器生长一层氧化钒膜,所生长的氧化钒膜分散在碳纳米管的表面、以及管与管的间隙当中,退火,形成氧化钒-碳纳米管复合膜结构;④冷却至室温后,从反应器中取出;⑤根据需要,依次重复碳纳米管生长、氧化钒沉积和退火步骤,形成氧化钒-碳纳米管多层复合膜结构。 |