本发明提供了一种高灵敏度熔锥耦合型微纳光纤超声检测系统及其耦合器制作方法。
所述耦合器制作方法包括以下步骤:
步骤1:采用平行夹具固定两根单模光纤,经过15-30秒的氢焰预热后,再进行熔融拉锥,以获得强耦合状态的微纳光纤耦合器。
步骤2:卸去强耦合状态的微纳光纤耦合器两端的预拉力,使其以放松状态悬空于V型石英封装槽中进行固定封装。
步骤3:将强耦合状态的微纳光纤耦合器的两端用粘贴剂固定至长条状V型石英封装槽内。粘贴剂充满V型石英封装槽的两端部,从而得到封装熔锥型微纳光纤耦合器。其两端粘贴剂之间的悬空部分即为光耦合区。
所述系统包括依次连接的以下组件:
| 专利名称 | 高灵敏度熔锥耦合型微纳光纤超声检测系统及其耦合器制作方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201610317845.2 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2016-05-12 |
| 专利授权日期 | 2016-10-12 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 刘懿莹;李凤梅;王霖洁;赵振宇;虞珂;付文成 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明一种高灵敏度熔锥耦合型微纳光纤超声检测系统及其耦合器制作方法。所述耦合器制作方法包括如下步骤,步骤1,采用平行夹具固定两根单模光纤,经15‑30s的氢焰预热后,再进行熔融拉锥获得强耦合状态的微纳光纤耦合器;步骤2,卸去强耦合状态的微纳光纤耦合器两端的预拉力,以放松状态悬空于V型石英封装槽中进行固定封装;步骤3,将强耦合状态的微纳光纤耦合器的两端用粘贴剂固定至长条状V型石英封装槽内;粘贴剂充满V型石英封装槽的两端部,得到封装熔锥型微纳光纤耦合器,其两端粘贴剂之间的悬空部分为光耦合区。所述系统包括依次连接的激光光源、上述的耦合器、以及光电转换器、差分放大电路和示波器。 | ||