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一种抑制单晶基体再结晶的激光重熔热障涂层制备工艺

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2017-06-28

专利所属地 :中国

专利号:CN201710509497.3

应用领域:化学原料和化学制品制造业

技术领域:新材料

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

一种抑制单晶基体再结晶的激光重熔热障涂层制备工艺如下:

用激光在带热障涂层的镍基单晶高温合金基体上进行激光重熔时,利用高频感应加热可以降低重熔涂层所需的激光能量阈值。同时,这种方法能显著降低激光向基体内传导的热量。

在预热辅助激光重熔热障涂层的过程中,一定范围内提高预热温度能显著地降低基体/粘结层处的温度和热累积。这一措施将有利于避免单晶镍基高温合金基体发生结构性能的变化。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种抑制单晶基体再结晶的激光重熔热障涂层制备工艺
专利状态 - 专利号(申请号) CN201710509497.3
申请号 - 专利申请日期 2017-06-28
专利授权日期 2017-11-07 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 王恪典;凡正杰;梅雪松;段文强;王汝家;张帅
权利人 -
专利摘要 一种抑制单晶基体再结晶的激光重熔热障涂层制备工艺,用激光在带热障涂层镍基单晶高温合金基体上进行激光重熔时,利用高频感应加热可以降低重熔涂层所需的激光能量阈值,并且能显著降低激光向基体内传导的热量,因此在预热辅助激光重熔热障涂层的过程中,一定范围内提高预热温度能显著地降低基体/粘结层处温度和热累积,这将有利于避免单晶镍基高温合金基体发生结构性能的变化。
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