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高亮度发光晶体管及其制备方法

技术类型：非专利

技术成熟度：研发

转让方式：技术转让

专利申请日：2007-02-15

专利所属地 ：中国

专利号：CN200710026965.8

应用领域：电子元件及电子专用材料制造

技术领域：新材料

交易价格：面议专利价值评估

应用案例：否

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简介

本发明公开了一种高亮度发光晶体管，其结构如下：

  • 衬底（1）
  • 形成于衬底（1）上的缓冲层（2）
  • 形成于缓冲层（2）上的n型布拉格反射层（3）
  • 形成于n型布拉格反射层（3）上的n+型电子发射层（4）
  • 与n+型电子发射层（4）欧姆接触的发射电极（5）
  • 形成于n+型电子发射层（4）上的n-型基区层（6）
  • 与n-型基区层（6）欧姆接触的电极（7）
  • 形成于n-型基区层（6）上的多量子阱有源发光层（8）
  • 形成于多量子阱有源发光层（8）上的p型掺杂的集电极层（9）
  • 以及与p型掺杂的集电极层（9）欧姆接触的电极（10）

具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。

(此文字表达经过AI优化完善，查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 高亮度发光晶体管及其制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN200710026965.8
申请号 - 专利申请日期 2007-02-15
专利授权日期 - 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 非专利
发明人 郭志友;张建中;孙慧卿;范广涵
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种高亮度发光晶体管,包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的N型布拉格反射层(3)、形成于N型布拉格反射层(3)上的N+型电子发射层(4)、与N+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成-于N+型电子发射层(4)上的N-型基区层(6)、与N-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于N-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的P型掺杂的集电极层(9)以及与P型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3MW。
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