层间绝缘膜、布线结构以及它们的制造方法

提供一种低介电常数且不会产生CFX、SIF4等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜及其布线结构。

在具备形成于基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中，所述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。

布线结构包括： 1. 层间绝缘膜； 2. 形成于层间绝缘膜上的接触孔； 3. 被填充于所述接触孔内的金属。

所述绝缘膜由以下两部分组成： 1. 形成于基底层上的第1碳氟膜； 2. 形成于所述第1碳氟膜上的第2碳氟膜。

提供一种低介电常数且不会产生CFX、SIF4等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中,所述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。布线结构具备层间绝缘膜和形成在层间绝缘膜上的接触孔以及被填充在所述接触孔内的金属。所述绝缘膜具备形成在所述基底层上的第1碳氟膜和形成在所述第1碳氟膜上的第2碳氟膜。