一种硅量子点的合成方法

摘要：

本发明提供一种硅量子点的合成方法，具体步骤如下：

1. 首先采用除水除氧后的甲苯作为溶剂；
2. 使SiCl3-C12H25与LiAlH4反应，生成带十二烷基的硅粒子；
3. 再将该带烷基的硅粒子烧结；
4. 使硅表面的碳基发生碳化；
5. 最后得到碳包覆的硅量子点。

该硅量子点的制备方法克服了以往使用剧毒物质氢氟酸刻蚀、高温反应的缺点。本发明制备的硅量子点具有以下优点：

• 粒径均匀；
• 反应条件温和；
• 生产安全可靠；
• 产品纯度高。

在光电信息传输、存贮、处理、运算和显示等方面，本发明制备的硅量子点具有广泛的应用价值。

摘要：本发明提供一种硅量子点的合成方法，首先采用除水除氧后的甲苯做溶剂，使SiCl3-C12H25与LiAlH4反应生成带十二烷基的硅粒子，再将该带烷基的硅粒子烧结，使硅表面的碳基发生碳化，最后得到碳包覆的硅量子点。该硅量子点的制备克服了以往使用剧毒物质氢氟酸刻蚀，高温反应。本发明制备的硅量子点粒径均匀，反应条件温和，生产安全可靠、产品纯度高。在光电信息传输、存贮、处理、运算和显示等方面有应用价值。