三结太阳电池及其制备方法

本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时又不提高电池制作成本和难度。

所述电池包括以下组件： - GaAs衬底 - 在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层 - InGaAs底电池 - 第一隧道结 - InGaAsP中间电池 - 第二隧道结 - InAlAs顶电池 - 欧姆接触层

各子电池之间晶格常数匹配，带隙组合为1.93eV、1.39eV、0.94eV。

所述电池的制备方法包括以下步骤： 1）提供一GaAs衬底； 2）在GaAs衬底上依次生长AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层； 3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。

本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层，各子电池之间晶格常数匹配，带隙组合为1。93eV、1。39eV、0。94eV。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。