本发明公开了一种改性碳纳米管温度传感器,包括以下结构:
传感单元结构: - 基底:Si - 绝缘层:SiO2 - 电极 - 改性碳纳米管 其中,改性碳纳米管在电极之间与电极相连。
该温度传感器的度传感单元由改性碳纳米管制备而成的场效应发射管构成。其工作原理是利用改性碳纳米管的温度导电效应来检测温度的变化。
| 专利名称 | 一种改性碳纳米管温度传感器 | ||
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| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201410791769.X |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2014-12-19 |
| 专利授权日期 | 2015-08-05 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 陈显平;杨宁;杨道国;张平;蔡苗 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种改性碳纳米管温度传感器,包括传感单元结构,其特征是:传感单元结构由基底Si,绝缘层SiO2,电极和改性碳纳米管组成,改性碳纳米管在电极之间与电极相连。该温度传感器的度传感单元是有改性碳纳米管制备而成的场效应发射管,其利用改性碳纳米管的温度导电效应来检测温度的变化。 | ||