基于悬空p-n结量子阱的光致晶体管及其制备方法

本发明提供一种基于悬空p-n结量子阱的光致晶体管及其制备方法。该方法利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下的硅衬底层，从而得到基于悬空氮化物薄膜p-n结量子阱的光致晶体管。进一步，采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空器件。

在本发明中，晶体管的一端作为LED光源，另一端作为光电探测器。由于两个器件之间优异的光谱匹配特性，光电探测器能够感知LED器件发出的光，并将光信号转换为电信号输出，从而实现器件的光致晶体管特性。

此外，该晶体管可以作为两个共地的LED光源，独立地传输被调制的光信号，实现可见光无线通信的双通道发射。同时，本发明晶体管也可以作为两个共地的光电探测器，独立地感知空间光信号，实现可见光无线通信的双通道探测。

本发明提供一种基于悬空p-n结量子阱的光致晶体管及其制备方法，利用各向异性硅刻蚀技术，剥离去除器件结构下硅衬底层，得到基于悬空氮化物薄膜p-n结量子阱的光致晶体管，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空器件。本发明中，晶体管一端作为LED光源，另一端作为光电探测器，由于两个器件之间优异的光谱匹配特性，光电探测器能够感知LED器件发出的光，将光信号转成电信号输出，从而实现器件的光致晶体管特性；该晶体管作为两个共地的LED光源，独立地传输被调制的光信号，实现可见光无线通信的双通道发射；本发明晶体管可以作为两个共地的光电探测器，独立地感知空间光信号，实现可见光无线通信的双通道探测。