一种以LTCC生瓷带为衬底的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法

摘要： 本发明公开了一种以LTCC生瓷带为衬底的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法。该方法运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化，以实现器件电阻的变化的原理。

从备简化工艺与改进阻变膜原料配方两方面着手： 1. 省略了阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤； 2. 选用烧结温度更低的陶瓷原料，结合采用更低的煅烧温度； 3. 并通过以X2+部分取代Ti4+进行B位取代，以增大阻变膜分子结构的不对称性和内部的空穴量； 4. 采用在LTCC生瓷带上镀膜形成“柔性”下电极等系列技术手段。

这些技术手段简化了制备工艺、提高了生产效率，并降低了生产能耗和制造成本，大幅提升了忆阻器的忆阻性能。

摘要：本发明公开了一种以LTCC生瓷带为衬底的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法，其运用单层纳米薄膜忆阻器在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，依靠空穴和电离氧离子产生量的变化，以实现器件电阻的变化的原理，从备简化工艺与改进阻变膜原料配方两方面着手：省略了阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、选用烧结温度更低的陶瓷原料，结合采用更低的煅烧温度；并通过以X2+部分取代Ti4+进行B位取代，以增大阻变膜分子结构的不对称性和内部的空穴量；并采用在LTCC生瓷带上镀膜形成“柔性”下电极等系列技术手段，简化了制备工艺、提高了生产效率，并降低了生产能耗和制造成本，大幅提升了忆阻器的忆阻性能。