摘要:
本发明公开了一种硅-锗合金量子点的制备方法。具体步骤如下:
该方法具有以下优点:
在光电信息传输、存储、处理、运算和显示等方面,该方法具有显著的应用价值。
| 专利名称 | 硅-锗合金量子点的制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201610479402.3 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2016-06-23 |
| 专利授权日期 | 2016-11-16 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 谢宇;宋健华;吴勇民;凌云 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种硅‑锗合金量子点的制备方法,先把甲苯进行预处理,再进行硅‑锗合金量子点的合成,利用反应生成带烷基的硅粒子溶解于正己烷中,将硅量子点转移到有机溶剂相中,从而进一步去除杂质;操作方法简便,所需设备简单,反应条件温和,成本较低,生产安全可靠,产品纯度高,产率高,在光电信息传输、存贮、处理、运算和显示等方面有应用价值。 | ||