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波导荧光数据存储器、制作方法与数据读取方法

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2014-06-26

专利所属地 :中国

专利号:CN201410295733.2

应用领域:其他信息技术服务业

技术领域:电子信息

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明属于光信息存储技术领域,具体涉及利用多层平面荧光光波导结构实现数据信息的三维记录和读取。

多层波导荧光数据存储器的制作过程如下: 1. 首先在芯层表面上刻印凹坑。 2. 然后将荧光材料填充到刻印好的凹坑内。 3. 接着将各个包层和芯层依次交错叠合,组合成一个整体。 4. 确保最外两层是包层。

该存储器通过以下方式记录“0”或“1”的信号: - 通过芯层上的有凹坑并填充有荧光材料处与没有凹坑处进行区分。

读取数据的过程如下: 1. 将寻址光束从波导的侧面耦合到要读取的存储单元。 2. 在芯层的上下两个交界面上发生全反射,激发作为信息符的荧光材料发出荧光。 3. 这样就会在黑暗的背景上显示出发光的数据点。 4. 该层数据通过光学系统进行成像,并进一步转换为数字量,从而实现数据读取。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 波导荧光数据存储器、制作方法与数据读取方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN201410295733.2
申请号 - 专利申请日期 2014-06-26
专利授权日期 2014-10-08 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 周馨慧;仪明东;辛菊盛;李奥;杨涛;黄维
权利人 -
专利摘要 本发明属于光信息存储技术,具体涉及利用多层平面荧光光波导结构实现数据信息的三维记录和读取。多层波导荧光数据存储器的制作是首先通过在芯层表面上刻印凹坑、将荧光材料填充到刻印好的凹坑内;然后将各个包层和芯层依次交错叠合,组合成一个整体,并保证最外两层是包层。该存储器通过芯层上的有凹坑并填充有荧光材料处与没有凹坑处区分开来,从而记录上“0”或“1”的信号。将寻址光束从波导的侧面耦合到要读取的存储单元并在芯层的上下两个交界面上发生全反射,激发作为信息符的荧光材料发出荧光,这样就会在黑暗的背景上显示出发光的数据点,该层数据通过光学系统呈像,且进一步转换为数字量,从而实现数据读取。
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