高介电常数低损耗复合电介质薄膜

高介电常数低损耗复合电介质薄膜可用于制造大容量、小体积、高可靠性电容器。该成果采用陶瓷与高分子材料复合的方法，利用两种材料各自的优势，制备出高介电常数、低损耗复合电介质薄膜。

该成果解决的关键技术是采用目前生产薄膜电容器常用的高分子材料与陶瓷粉复合。在保证复合薄膜柔软的前提下，介电常数比高分子材料大幅度提高，且损耗很小。

所获得的复合薄膜介电常数为29，损耗为4×10^-3，容量温度变化率小于5%（-25℃～+85℃），体积电阻率10^3Ω·cm，击穿强度50kV/mm。

若利用现有的生产线，可望尽早形成工业化生产能力，具有较高的经济效益。

该课题研究的成功，对促进我国新型电容器介质材料的开发，对电子工业的发展有重要意义，有广阔的应用前景。

高介电常数低损耗复合电介质薄膜可用于制造大容量、小体积、高可靠性电容器。该成果采用陶瓷与高分子材料复合的方法，利用两种材料各自的优势，制备出高介电常数，低损耗复合电介质薄膜。该成果解决的关键技术是采用目前生产薄膜电容器常用的高分子材料与陶瓷粉复合，在保证复合薄膜柔软的前提下，介电常数比高分子材料大幅度提高且损耗很小。所获得的复合薄膜介电常数为２９，损耗为４×１０＜＇－３＞，容量温度变化率小于５％（－２５℃－＋８５℃），体积电阻率１０＜＇３＞Ω·ｃｍ，击穿强度５０ｋＶ／ｍｍ．若利用现有的生产线，可望尽早形成工业化生产能力，具有较高的经济效益。该课题研究的成功，对促进我国新型电容器介质材料的开发，对电子工业的发展有重要意义，有广阔的应用前景。