本发明公开了一种基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法,实现载体为硅衬底氮化物晶片和N型掺杂硅晶片。
所述硅衬底氮化物晶片包括: - 顶层氮化物; - 位于顶层氮化物下部的硅衬底层,其中硅衬底层部分掏空,形成悬空部位。
在悬空部位上方,顶层氮化物和镍/金电极构成薄膜LED蓝光发光器件。
N型掺杂硅晶片顶层设置有适用于蓝光波段的光电传感器件。
所述N型掺杂硅晶片为本征硅晶片掺杂磷元素。
本发明器件设备体积小,能够实现水下高性能高速双向可见光通信。
| 专利名称 | 基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201710240402.2 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2017-04-13 |
| 专利授权日期 | 2017-08-29 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 李欣;王永进;施政;其他发明人请求不公开姓名 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种基于异质键合的微型水下可见光通信双工器件及制备方法,实现载体为硅衬底氮化物晶片和N型掺杂硅晶片,所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物和位于顶层氮化物下部的硅衬底层,硅衬底层部分掏空,形成悬空部位,悬空部位上方的顶层氮化物和镍/金电极构成薄膜LED蓝光发光器件,N型掺杂硅晶片顶层设置有适用于蓝光波段的光电传感器件,所述N型掺杂硅晶片为本征硅晶片掺杂磷元素。本发明器件设备体积小,能够实现水下高性能高速双向可见光通信。 | ||