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成果概况
简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用,在加工表面形成化学反应薄层。利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。
本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
本项目采用化学机械超精密抛光方法,通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层,利用微粒的机械摩擦作用去除反应层,高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性,优选抛光液,获得提高抛光效率的化学反应层;并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值,以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
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原文)
专利基本信息
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专利号(申请号) |
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专利申请日期 |
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专利权届满日 |
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专利类型 |
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