本发明公开了一种中红外非线性光学晶体材料,其化学式为KBi4F13。该材料的晶体空间群为I-4,晶胞参数如下: - a = 9.2027(19) Å - b = 9.2027(19) Å - c = 6.2589(13) Å - α = β = γ = 90° - Z = 2
本发明还提供了上述晶体材料的水热法制备方法。制得的中红外非线性光学晶体材料具有以下特点: - 具有能相位匹配的倍频效应(SHG)。 - Kurtz粉末倍频测试结果表明,其粉末倍频效应与磷酸二氢钾(KDP)相当。 - 粉末的激光损伤阈值为120 MW/cm²,是目前的商用中红外非线性光学晶体材料AgGaS2的激光损伤阈值的23倍以上。 - 在可见光区和中红外光区有较宽的透过范围,完全透过波段为0.27~14微米。 - 不含结晶水,对空气稳定,且热稳定性较好。 - 可利用水热法制备单晶材料。
| 专利名称 | 一种中红外非线性光学晶体材料KBi4F13及其制备方法和应用 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | 201510269943.9 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2015-05-25 |
| 专利授权日期 | 2017-06-27 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 吴奇;秦金贵 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种中红外非线性光学晶体材料,其化学式为KBi4F13,上述材料的晶体空间群为I-4,晶胞参数为a=9.2027(19)b=9.2027(19)c=6.2589(13)α=β=γ=90°、Z=2。本发明还提供了上述晶体材料的水热法制备方法,本发明制得的中红外非线性光学晶体材料具有能相位匹配的倍频效应(SHG),Kurtz粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应与磷酸二氢钾(KDP)相当;粉末的激光伤阈值为120MW/cm2,是目前的商用的中红外非线性光学晶体材AgGaS2的激光损伤阈值的23倍以上;在可见光区和中红外光区有较宽的透过范围,完全透过波段为0.27~14微米;不含结晶水,对空气稳定,且热稳定性较好;可利用水热法制备单晶材料。 | ||