摘要:
本发明是一种用于电致发光器件的空穴传输和注入材料——三芳胺类衍生物的低温制备方法,属于电子技术材料领域。该方法采用以下步骤:
利用该方法获得的这类产物为粉末状,纯度较高。该特性使得产物可以不经过色谱柱分离,而直接采用升华方法完成产物的纯化精制。
| 专利名称 | 三芳胺类衍生物的低温制备方法及应用 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN200510016768.9 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2005-04-30 |
| 专利授权日期 | 2005-11-16 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 王利祥;杨继华;逄束芬;王兴东;程延祥;吕剑虹;耿延候;谢志元 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明是一种用于电致发光器件的空穴传输和注入材料——三芳胺类衍生物的低温制备方法,属于电子技术材料领域。采用铜粉和邻菲咯啉为催化剂,在氢氧化钾存在下,普通芳烃为溶剂,以卤代芳烃为原料,与二芳胺或咔唑在较低温度下(120-150℃)反应5小时,通过适当的后处理过程获得三芳胺类衍生物。利用该方法获得的这类产物为粉末状,纯度较高,可以不经过色谱柱分离,而直接采用升华方法完成产物的纯化精制。 | ||