一种锗衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法

一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法（专利号：CN201310106758.9）如下：

该方法包括以下步骤：

1. 将Ge片依次置于丙酮和甲醇中分别超声处理；
2. 在去离子水中对Ge片进行超声处理；
3. 在HF酸溶液中对Ge片进行刻蚀；
4. 再次在去离子水中对Ge片进行超声处理，完成Ge片的表面预处理。

预处理后的操作如下：

1. 将预处理后的Ge(001)片置入生长室；
2. 升温，去除Ge衬底表面的氧化物，得到清洁的Ge(001)表面；
3. 调节Ge片温度，通入氧源；
4. 打开金属源进行生长；
5. 生长一定时间后，获得一种Ge衬底上生长的单晶氧化物薄膜。

本发明通过在Ge衬底上外延生长单晶薄膜，得到理想的界面，从而大大降低界面态密度，有效解决了Ge基MOS器件的界面问题。

一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法（专利号：CN201310106758.9）是将Ge片依次置于丙酮和甲醇中分别超声，再在去离子水中超声，后在HF酸溶液中刻蚀，再在去离子水中超声，完成Ge片的表面预处理；将预处理后的Ge(001)片置入生长室，升温，去除Ge衬底表面的氧化物，得到清洁的Ge(001)表面；然后调节Ge片温度，通入氧源，打开金属源进行生长，生长一定时间后，获得一种Ge衬底上生长的单晶氧化物薄膜。本发明在Ge衬底上外延生长单晶薄膜，得到理想的界面，从而大大降低界面态密度，解决Ge基MOS器件的界面问题。