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宽频带低剖面全向圆极化天线

技术类型:实用新型专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2017-01-24

专利所属地 :中国

专利号:CN201720101119.7

应用领域:通用仪器仪表制造

技术领域:电子信息

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本实用新型公开了一种宽频带低剖面全向圆极化天线。该天线的设计包括以下结构:

  1. 介质基板:包括上层介质基板和下层介质基板,两者平行设置,其中上层介质基板位于下层介质基板的正上方。

  2. 金属地板:敷贴于下层介质基板上。

  3. 零阶谐振器、寄生辐射器和辐射型馈电网络:敷贴于上层介质基板上。

  4. 辐射型馈电网络位置:位于上层介质基板的中心处。

  5. 零阶谐振器结构:零阶谐振贴片环设在辐射型馈电网络的外侧。每个零阶谐振销钉的一端与一个零阶谐振贴片连接,另一端与金属地板连接。

  6. 寄生辐射器结构:寄生辐射贴片环设于零阶谐振贴片的外侧。每个寄生辐射销钉的一端与一个寄生辐射贴片连接,另一端悬置。

本实用新型通过上述设计,能够增大天线阻抗和方向图带宽,同时保持良好的轴比特性。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
技术标签
专利基本信息
专利名称 宽频带低剖面全向圆极化天线
专利状态 - 专利号(申请号) CN201720101119.7
申请号 - 专利申请日期 2017-01-24
专利授权日期 2017-09-08 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 实用新型专利
发明人 彭麟;姜兴;李晓峰;李小明;廖兴
权利人 -
专利摘要 本实用新型公开一种宽频带低剖面全向圆极化天线,介质基板包括上层介质基板和下层介质基板,上层介质基板和下层介质基板平行设置,上层介质基板位于下层介质基板的正上方;金属地板敷贴于下层介质基板上;零阶谐振器、寄生辐射器和辐射型馈电网络敷贴于上层介质基板上;辐射型馈电网络位于上层介质基板的中心处;零阶谐振器的零阶谐振贴片环设在辐射型馈电网络的外侧,零阶谐振器的每个零阶谐振销钉的一端与1个零阶谐振贴片连接,另一端与金属地板连接;寄生辐射贴片环设零阶谐振贴片的外侧,寄生辐射贴片的每个寄生辐射销钉的一端与1个寄生辐射贴片连接,另一端悬置;本实用新型能够增大天线阻抗和方向图带宽,并保持良好的轴比特性。
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