摘要: 本发明涉及一种宽带反射式1/4波片。该波片包括基底(5),在基底(5)上依次镀设氧化铝膜(4)、银膜(3)、氧化铝膜(2)和氧化硅膜(1)。在氧化硅层(1)内,通过刻蚀工艺形成矩形槽光栅。该光栅的周期范围为1178~1188纳米,刻蚀深度为2517~2527纳米,占空比为0.255。
与现有技术相比,本发明可以通过光学全息记录技术或电子束直写装置,结合微电子深刻蚀工艺以及镀膜技术进行加工。这使得取材方便,造价低廉,并具有重要的实用前景。
| 专利名称 | 一种宽带反射式1/4波片 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201410663285.7 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2014-11-19 |
| 专利授权日期 | 2015-02-04 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 胡安铎;初凤红 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明涉及一种宽带反射式1/4波片,包括基底(5),在基底(5)上依次镀设氧化铝膜(4)、银膜(3)、氧化铝膜(2)和氧化硅膜(1),氧化硅层(1)内刻蚀形成矩形槽光栅,该光栅的周期为1178~1188纳米,刻蚀深度为2517~2527纳米,占空比为0.255。与现有技术相比,本发明可以由光学全息记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺以及镀膜技术加工而成,取材方便,造价小,具有重要的实用前景。 | ||