本发明公开了一种高g值加速度计,该加速度计由以下组件构成:
具体结构如下:
本发明采用双端固定的加速度敏感梁和硅隔离SOI硅微固态压阻芯片构成硅微应变固态压阻高g值传感器,有效解决了以下问题:
此外,本发明还采用共晶焊接技术,解决了传感器迟滞问题。
该加速度计传感器具有以下特点:
因此,该加速度计传感器能够满足穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统高g值加速度的测量需求。
| 专利名称 | 高g值加速度计 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN200510042775.6 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2005-06-09 |
| 专利授权日期 | 2005-11-09 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 赵玉龙;蒋庄德;高建忠;赵立波 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种高g值加速度计,该加速度计由加速度敏感梁、两块电路板和SOI硅微固态压阻芯片构成;该加速度敏感梁上有对称的台阶,两块电路板对称粘接在台阶上,SOI硅微固态压阻芯片设置在加速度敏感梁的中间,硅微固态压阻芯片与两块电路板通过引线连接。本发明采用双端固定的加速度敏感梁和硅隔离SOI硅微固态压阻芯片构成硅微应变固态压阻高g值传感器,解决了穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统的高g值加速度测量问题。同时采用共晶焊接技术,解决了传感器迟滞问题。该加速度计传感器具有量程高、动态特性好、耐侯性强以及测量精度高、高过载等特点,能够满足穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统高g值加速度的测量需要。 | ||