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高g值加速度计

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2005-06-09

专利所属地 :中国

专利号:CN200510042775.6

应用领域:专用仪器仪表制造

技术领域:-

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明公开了一种高g值加速度计,该加速度计由以下组件构成:

  1. 加速度敏感梁
  2. 两块电路板
  3. SOI硅微固态压阻芯片

具体结构如下:

  • 加速度敏感梁上设有对称的台阶。
  • 两块电路板对称粘接在台阶上。
  • SOI硅微固态压阻芯片设置在加速度敏感梁的中间。
  • 硅微固态压阻芯片与两块电路板通过引线连接。

本发明采用双端固定的加速度敏感梁和硅隔离SOI硅微固态压阻芯片构成硅微应变固态压阻高g值传感器,有效解决了以下问题:

  • 穿甲
  • 掩体侵彻
  • 钻地武器
  • 航弹等引信系统的高g值加速度测量

此外,本发明还采用共晶焊接技术,解决了传感器迟滞问题。

该加速度计传感器具有以下特点:

  • 量程高
  • 动态特性好
  • 耐候性强
  • 测量精度高
  • 高过载

因此,该加速度计传感器能够满足穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统高g值加速度的测量需求。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 高g值加速度计
专利状态 - 专利号(申请号) CN200510042775.6
申请号 - 专利申请日期 2005-06-09
专利授权日期 2005-11-09 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 赵玉龙;蒋庄德;高建忠;赵立波
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种高g值加速度计,该加速度计由加速度敏感梁、两块电路板和SOI硅微固态压阻芯片构成;该加速度敏感梁上有对称的台阶,两块电路板对称粘接在台阶上,SOI硅微固态压阻芯片设置在加速度敏感梁的中间,硅微固态压阻芯片与两块电路板通过引线连接。本发明采用双端固定的加速度敏感梁和硅隔离SOI硅微固态压阻芯片构成硅微应变固态压阻高g值传感器,解决了穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统的高g值加速度测量问题。同时采用共晶焊接技术,解决了传感器迟滞问题。该加速度计传感器具有量程高、动态特性好、耐侯性强以及测量精度高、高过载等特点,能够满足穿甲、掩体侵彻、钻地武器以及航弹等引信系统高g值加速度的测量需要。
成果评价分析
技术应用分析
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