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一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2016-07-29

专利所属地 :中国

专利号:CN201610614357.8

应用领域:其他电气机械及器材制造

技术领域:新材料

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明属于光电探测技术领域,提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。

所述的可见光探测器由以下部分组成:衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4。可见光探测器采用最简单的三明治结构,其中可见光吸收层3为锰掺杂氮化铜薄膜,位于底电极2和顶电极4之间。

其制造方法如下: 1. 首先将透明导电玻璃刻蚀,形成0.8cm宽的透明导电窄条。 2. 利用磁控溅射技术沉积锰掺杂氮化铜薄膜。 3. 最后用磁控溅射或蒸发蒸镀的方法沉积金属顶电极4。

基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器具有以下优点: - 良好的光响应度 - 持久可重复跳变性能 - 快速的响应时间 - 结构简单 - 制作成本低 - 原料丰富易得 - 制造方法简单

采用磁控溅射和蒸镀技术,可以规模化生产。

(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器
专利状态 - 专利号(申请号) CN201610614357.8
申请号 - 专利申请日期 2016-07-29
专利授权日期 2017-11-14 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 李兴鳌;赵杨华;楚亮;贾振宏;张巧霞;於爱爱;黄维
权利人 -
专利摘要 本发明属于光电探测技术领域,提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。所述的可见光探测器由衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4组成,可见光探测器为最简单的三明治结构,可见光吸收层3为锰掺杂氮化铜薄膜,位于底电极2和顶电极4之间。其制造方法为,首先将透明导电玻璃刻蚀,形成0.8cm宽的透明导电窄条,然后利用磁控溅射技术沉积锰掺杂氮化铜薄膜,最后用磁控溅射或者蒸发蒸镀的方法沉积金属顶电极4,便得到基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。该可见光探测器拥有良好的光响应度、持久可重复跳变性能、快速的响应时间,且结构简单,制作成本低,原料丰富易得,制造方法简单,采用磁控溅射和蒸镀技术,可以规模化生产。
成果评价分析
技术应用分析
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