本发明属于光电探测技术领域,提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。
所述的可见光探测器由以下部分组成:衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4。可见光探测器采用最简单的三明治结构,其中可见光吸收层3为锰掺杂氮化铜薄膜,位于底电极2和顶电极4之间。
其制造方法如下: 1. 首先将透明导电玻璃刻蚀,形成0.8cm宽的透明导电窄条。 2. 利用磁控溅射技术沉积锰掺杂氮化铜薄膜。 3. 最后用磁控溅射或蒸发蒸镀的方法沉积金属顶电极4。
基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器具有以下优点: - 良好的光响应度 - 持久可重复跳变性能 - 快速的响应时间 - 结构简单 - 制作成本低 - 原料丰富易得 - 制造方法简单
采用磁控溅射和蒸镀技术,可以规模化生产。
| 专利名称 | 一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN201610614357.8 |
| 申请号 | - | 专利申请日期 | 2016-07-29 |
| 专利授权日期 | 2017-11-14 | 专利权届满日 | - |
| 专利所属地 | 中国 | 专利类型 | 发明专利 |
| 发明人 | 李兴鳌;赵杨华;楚亮;贾振宏;张巧霞;於爱爱;黄维 | ||
| 权利人 | - | ||
| 专利摘要 | 本发明属于光电探测技术领域,提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。所述的可见光探测器由衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4组成,可见光探测器为最简单的三明治结构,可见光吸收层3为锰掺杂氮化铜薄膜,位于底电极2和顶电极4之间。其制造方法为,首先将透明导电玻璃刻蚀,形成0.8cm宽的透明导电窄条,然后利用磁控溅射技术沉积锰掺杂氮化铜薄膜,最后用磁控溅射或者蒸发蒸镀的方法沉积金属顶电极4,便得到基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。该可见光探测器拥有良好的光响应度、持久可重复跳变性能、快速的响应时间,且结构简单,制作成本低,原料丰富易得,制造方法简单,采用磁控溅射和蒸镀技术,可以规模化生产。 | ||