基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法

摘要：

本发明属于发光二极管器件制备技术领域，特别涉及一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法。

本发明半导体量子点发光二极管依次包括以下层叠结构：

1. 衬底
2. 透明导电金属氧化物电极层
3. 电子注入层
4. 量子点发光层
5. 空穴注入层
6. 对电极层

其中，电子注入层采用乙酰丙酮钛膜材料。

可采用旋涂等溶液加工的方法制备电子注入层，将乙酰丙酮钛引入反向结构量子点发光二极管器件制备中，实现了电子的有效注入。

并且与传统的正向结构和溶胶凝胶法制备的二氧化钛、氧化锌相比，本发明具有以下特点：

• 发光颜色纯
• 制备工艺简单
• 成本低廉
• 实验重复性和稳定性好
• 适合于大规模工业化生产

摘要：本发明属于发光二极管器件制备技术领域，特别涉及一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法。本发明半导体量子点发光二极管依次包括层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、电子注入层、量子点发光层、空穴注入层和对电极层，其中涉及的电子注入层采用乙酰丙酮钛膜材料。可采用旋涂等溶液加工的方法制备电子注入层，将乙酰丙酮钛引入反向结构量子点发光二极管器件制备中，实现了电子的有效注入；并且与传统的正向结构和溶胶凝胶法制备的二氧化钛、氧化锌相比，本发明具有发光颜色纯、制备工艺简单，成本低廉，实验重复性和稳定性好、适合于大规模工业化生产等特点。