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一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器

技术类型:发明专利

技术成熟度:研发

转让方式:技术转让、技术许可、技术入股

专利申请日:2017-06-07

专利所属地 :中国

专利号:CN201710423435.0

应用领域:其他电气机械及器材制造

技术领域:电子信息

交易价格:面议专利价值评估

应用案例:否

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成果概况
简介

本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器,该探测器包括以下部分:

  1. 金属电极
  2. 微透镜阵列
  3. 半导体材料基底

具体结构如下:

  • 微透镜阵列设置于半导体材料基底上。
  • 金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上。

其设计特点如下:

  • 微透镜中间的球面部分作为光照区域。
  • 边缘部分被金属电极覆盖。

本发明的优势包括:

  • 通过集成微透镜及其阵列,可以提高感光区面积。
  • 同时,在半导体内部将入射光汇聚,从而提高单位体积内的光强。
  • 这有助于增加光生载流子密度以及光增益系数。

与传统的平面电极相比,本发明的非平面紫外光电探测器的电极结构具有以下特点:

  • 更强的载流子捕获能力。

此外,本发明的紫外光电探测器具有以下优点:

  • 结构简单
  • 易于实现大规模生产
(此文字表达经过AI优化完善,查看原文请点击 原文)
专利基本信息
专利名称 一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器
专利状态 - 专利号(申请号) CN201710423435.0
申请号 - 专利申请日期 2017-06-07
专利授权日期 2017-11-07 专利权届满日 -
专利所属地 中国 专利类型 发明专利
发明人 王宏兴;朱天飞;刘宗琛;刘璋成;王玮;问峰;卜忍安;张景文;侯洵
权利人 -
专利摘要 本发明公开了一种微透镜及其阵列的集成非平面紫外光电探测器,包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底;微透镜阵列设置于半导体材料基底上;金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域,边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜及其阵列可以提高感光区面积,同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强,增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极,具有更强的载流子捕获能力。此外,本发明的紫外光电探测器的结构简单,易实现大规模生产。
成果评价分析
技术应用分析
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