具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法

本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法。具体步骤如下：

1. 在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1-xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I。

2. 将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1-xN层，留下P型GaN层的圆柱。P型GaN圆柱间距在0.3-6微米间。

3. 将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后，将其刻蚀穿或不刻蚀穿。

4. 制作高反射欧姆接触层及阻挡层。

5. 通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上。

6. 最后制作成紫外LED器件。

紫外LED通过以下方式提高了紫外光出光效率：

• 使用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1-xN层形成较好的反射欧姆接触。

本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。